俄罗斯已经公布了自主开发EUV光刻机的路线图，其目标是制造出比ASML更便宜、更易制造的光刻机。该项目由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导。
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俄罗斯的光刻机将采用11.2nm的激光光源，与ASML标准的13.5nm不同，这种波长的改变将提高分辨率20%，简化设计并降低光学元件成本。由于11.2nm波长与现有EUV设备不兼容，俄罗斯需要开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。包括电子设计自动化工具在内的多个方面都需要更新，尤其是在曝光的关键制程上，如光罩数据准备、光学邻近校正和分辨率增强技术。
Chkhalo指出，这种调整显著减少了光学元件的污染，延长了关键部件的使用寿命。俄罗斯的光刻机还将使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将展现更佳性能。尽管其光源功率仅为3.6千瓦，产量是ASML设备的37%，但性能足以满足小规模芯片生产需求。 | 
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